Thành tựu này đã được Viện Nghiên cứu Năng lượng Mặt trời Hamelin của Đức chứng nhận và được xem là cột mốc quan trọng của công nghệ quang điện silicon.
Pin mới của Longi dùng thiết kế back-contact, loại bỏ hoàn toàn kim loại ở mặt trước để tối đa ánh sáng hấp thụ. Hãng bổ sung các lớp phủ đặc biệt để giảm thất thoát điện tích và cải thiện khả năng chuyển đổi ánh sáng thành điện. Một số phần trong cấu trúc silicon cũng được điều chỉnh để tránh tổn hao hiệu suất.
Công nghệ laser được dùng để tinh chỉnh lớp silicon vô định hình, giúp giữ bề mặt ổn định nhưng vẫn giảm điện trở. Nhờ kết hợp loạt cải tiến, pin đạt dòng ngắn mạch 5.698 mA, điện áp 744,9 mV và hệ số lấp đầy ấn tượng 87,55%.
Longi cho biết công nghệ này tương thích với dây chuyền sản xuất hiện có, cho thấy khả năng mở rộng trong công nghiệp. Tuy nhiên, hãng thừa nhận phần tiếp xúc p-type còn mức tổn hao cao và sẽ cần cải thiện.
Dù còn chặng đường dài để phát triển, kết quả này thiết lập tiêu chuẩn hiệu suất mới cho pin silicon. Sáng chế mới cũng cho thấy công nghệ vẫn còn dư địa để tiến gần mức giới hạn theo lý thuyết.
Theo IE
